(024)33 811 1880971 881 886
(Mở cửa: 9h - 18h30)

Kioxia giới thiệu công nghệ SSD mới: Ổ cứng thể rắn sẽ đạt dung lượng ít nhất 50TB

1.375 ngày trước

Một trong những đối tượng vẫn đang giúp thị trường ổ cứng HDD sống khỏe không ai khác chính là những trung tâm dữ liệu khổng lồ, cần những ổ cứng lưu trữ hàng chục TB mỗi chiếc. Bên cạnh khách hàng datacenter, thì những người làm multimedia vẫn tin tưởng vào HDD, khi clip raw họ quay để xử lý có thể đạt tới dung lượng hàng TB mỗi giờ đồng hồ video. Đó cũng là nền tảng để Kioxia, nhà sản xuất chip nhớ đến từ Nhật Bản đưa ra một công nghệ sản xuất SSD mới, với tiềm năng có thể phục vụ tốt cả hai đối tượng khách hàng này, khi mỗi chiếc ổ SSD sử dụng công nghệ 3D QLC NAND với dung lượng từ 50TB trở lên sẽ thay thế được HDD về tốc độ xử lý.

Kioxia giới thiệu công nghệ SSD mới: Ổ cứng thể rắn sẽ đạt dung lượng ít nhất 50TB 1

Kioxia làm thế nào để tạo ra SSD 50TB? Nói một cách dễ hiểu, họ đưa ra giải pháp là bỏ qua hết những công đoạn hiện tại để sản xuất ổ cứng thể rắn: Không còn quá trình cắt chip nhớ từ wafer silicon, không cần đóng gói chip, cũng không cần lắp ráp ổ cứng thành những thiết bị form factor M.2 hay SATA 2.5” như trước. Kioxia muốn dùng cả tấm wafer silicon đã “in” chip nhớ và biến nó thành SSD.

Tấm wafer từ nhà máy sản xuất sẽ được Kioxia sử dụng công nghệ “super multi-probing” của họ để xác định và vô hiệu hóa những die 3D NAND lỗi, sau đó cả tấm silicon này sẽ được gắn vào bo mạch có chứa I/O và cáp nguồn. Cả chiếc SSD cỡ lớn đó sẽ được vận hành ở chế độ paralel để tối đa tốc độ đọc/ghi và hiệu năng random IOPS (Input/Output Operations Per Second).

Kioxia giới thiệu công nghệ SSD mới: Ổ cứng thể rắn sẽ đạt dung lượng ít nhất 50TB 2

Dung lượng SSD hiện giờ bị bó buộc bởi thiết kế form factor và công nghệ đóng gói chip NAND vào sản phẩm thương mại, còn tốc độ của chúng thì bị ảnh hưởng bởi controller đi kèm với mỗi chiếc ổ cứng thể rắn và tốc độ của chuẩn kết nối PCI Express. Còn theo Kioxia, nếu sản xuất SSD sử dụng trực tiếp wafer silicon đã in chip 3D NAND, số kênh NAND trên một chiếc ổ sẽ ở mức rất cao, kết hợp với kết nối PCIe 6.0x16 sẽ tạo ra băng thông 128GB/s, và hàng triệu IOPS để data center mặc sức xử lý!

Kỹ sư trưởng của Kioxia, Shigeo Oshima mô tả ý tưởng SSD wafer ở sự kiện VLSI Symposium 2020. Hiện giờ công nghệ này mới ở giai đoạn ý tưởng, và chưa có giải pháp sản xuất trong thời gian tới.

Theo TechRadar

Các tin liên quan